2020年中國科學院大學材料物理與化學考研半導體物理科目真題

2020年中國科學院大學材料物理與化學考研半導體物理科目真題

一、(共 50 分，每題 5 分)解釋下列名詞或概念

1. 等同的能谷間散射___________________________________

2. 雜質電離能___________________________________

3. 理想 MIS 結構的平帶狀態(tài)___________________________________

4. 準費米能級___________________________________

5. pn 結擴散電容___________________________________

6. 價帶的有效狀態(tài)密度___________________________________

7. 表面復合速度___________________________________

8. 自由載流子吸收___________________________________

9. 費米分布函數(shù)___________________________________

10. 半導體的湯姆遜效應___________________________________

二、(共 20 分，每題 10 分)簡答題

1. 簡述理想 MIS 結構的高頻 C-V 特性(以 p 型半導體為例)。

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2. 1963 年，Gunn 發(fā)現(xiàn)，給 n 型 GaAs 兩端電極加以電壓使得 GaAs 內電場超過3×10³V/cm時，電流便會以很高的頻率振蕩，這個效應稱為耿氏效應(Gunn effect)。1964 年 Koremer 指出，這與微分負阻理論一致。請結合 GaAs 的能帶結構，簡述 GaAs 在高場下出現(xiàn)負阻效應的原因。

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